IBMが世界初の0.7nm半導体技術ナノスタックを発表、Rapidus・ASML・東京エレクトロン・SCREEN・Lam Researchが実装パートナーに名を連ね5年内量産視野で半導体装置・材料株の中期テーマが再点火する可能性
2026年6月25日、米IBM(ティッカー:IBM)は米ニューヨーク州ヨークタウン・ハイツにおいて、世界初となる1nm未満の半導体技術、0.7nm(7オングストローム)ノードのトランジスターアーキテクチャー、ナノスタックを発表した。爪サイズのチップに約1000億個のトランジスターを集積し、2021年発表の2nm世代比で最大50%の性能向上または70%の省電力化を見込む。パートナー企業による実用化は最短で5年後を想定しており、Rapidus・ASML・東京エレクトロン・SCREEN・Lam Researchなどが製造・装置面で関与する構図となっている。
1. 何があったのか
IBMは6月25日、半導体の国際会議VLSI 2026(6月14日から18日にかけてホノルルで開催)に合わせ、0.7nm世代のロジックプロセス技術を発表した。技術のコアは、ナノシートを土台に垂直方向にトランジスターを積み重ねる3D構造ナノスタックで、既存の2nm/3nm世代で採用されているナノシート(GAA)技術をZ軸方向に発展させたものとなっている。IBM ResearchディレクターのJay Gambetta氏はコンピューティングをナノメートル時代から原子スケールへ押し進めるものと位置付け、グローバル半導体研究開発担当バイスプレジデントのHuiming Bu氏は5年以内の量産に向けた準備を進める方針を示した。
2. 背景:なぜこのニュースが出たのか
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